CAPITOLO 3

SEGNALI E CIRCUITI LOGICI - Famiglia CMOS

3.1. Famiglia logica CMOS e sue derivate

3.1.1. Considerazioni generali sulla famiglia CMOS

I circuiti CMOS (Complemetary MOS) sono composti da circuiti pMOS e nMOS (vedi esercitazioni). Sono stati pensati per consumare poca corrente in condizione statica e per avere flessibilità nel valore della tensione di alimentazione.

Per semplicità didattica, possiamo pensare a un circuito CMOS come al solo stadio finale di una TTL ( 3.1).

			Non accade MAI che entrambi gli interruttori siano chiusi, e questo significa che non c'è assorbimento statico di corrente (vedremo che il carico si comporta come un condensatore). Durante la commutazione invece si ha un assorbimento di corrente,e si può dimostrare che la potenza utilizzata da un CMOS cresce proporzionalmente con la frequenza di commutazione.
				Come si vede da grafico di . 3.2, la potenza dissipata da una porta CMOS diventa paragonabile con la potenza dissipata tipicamente da una porta TTL quando la frequenza raggiunge i 4-6 Mhz; oltre al questa frequenza la CMOS consuma più potenza della TTL. Al contrario, un CMOS che non commuta non consuma praticamente nulla. In un sistema, mediamente, molti circuiti sono fermi, cioé non commutano, quindi, in definitiva, un sistema composto da CMOS consuma meno di un sistema equivalente composto da TTL.

							Un dispositivo CMOS (ma vale anche per MOS e FET) all'ingresso si presenta come un condensatore ( 3.3). Questo significa che un CMOS, per pilotarne un altro, deve essere in grado di pilotare un condensatore, quindi deve caricarlo e scaricarlo. Al fine del calcolo della potenza consumata da un CMOS, posso utilizzare il seguente modello semplificato rappresentato in . 3.4.

					Poniamo che la commutazione avvenga con una frequenza f=1/T (T=periodo). Quando sw1 è chiuso e sw2 aperto, avviene il caricamento del condensatore: il suo potenziale aumenta fino al valore Val. Quando viceversa sw1 è aperto e sw2 è chiuso, avviene la scarica del condensatore: la corrente fluisce verso massa e il potenziale del condensatore va a zero.

Se Q è la carica che si accumula sul condensatore in un tempo pari al periodo T di commutazione, la corrente MEDIA è:

  cioè

dove V, la tensione sul condensatore quando ha la massima carica, è praticamente uguale alla tensione di alimentazione (le resistenze del componente sono piccole quindi nel tempo T il condensatore si carica praticamente fino alla sua capacità).

Nota bene: la potenza va calcolata moltiplicando una tensione CONTINUA con una corrente CONTINUA; non posso moltiplicare tra loro grandezze non omogenee. In questo caso considero la corrente media calcolata prima, perché il valore della corrente durante la commutazione non è costante:

Da qui vediamo come la relazione tra potenza assorbita e frequenza sia LINEARE.

Per quanto riguarda il calcolo del FANOUT, non basta considerare semplicemente il rapporto tra corrente in uscita e in ingresso, ma occorre considerare anche il carico capacitivo. Staticamente i CMOS hanno un FANOUT "infinito", nel senso che, non consumando corrente, posso collegare un CMOS ad un numero qualunque di CMOS senza problemi. Ma quando commutano le cose cambiano: siccome il CMOS in ingresso si presenta come una capacità da caricare e scaricare, un dispositivo CMOS che deve pilotarne un altro deve essere in grado di pilotare delle capacità, e quindi deve essere in grado di erogare sufficiente corrente e dunque potenza, che abbiamo visto essere proporzionale alla frequenza.

Nei datasheet, come vedremo, viene fornito un valore di capacità equivalente che modellizza il comportamento dell'intero componente (in altre parole l'intero componente, ai fini del calcolo della potenza, viene visto come un condensatore). Tale valore è quello da inserire nella formula appena vista per calcolare la potenza assorbita da un CMOS.

3.1.2. CMOS della serie 4000

La serie 4000 è stata la prima famiglia CMOS ed è nata in origine per applicazioni di tipo spaziale (ancora adesso è l'unica qualificata spazio). Infatti è stata concepita per avere un basso consumo e grande flessibilità sui valori della tensione di alimentazione (in modo da poter essere alimentata da fonti instabili, come le batterie).

Note varie dalla lettura dei datasheet:

Nota la grande flessibilità sulla tensione di alimentazione (da -0.5V a 18 V)

La potenza dissipata massima (cioè quando la frequenza è massima) è di 400 mW

Il valore di Tj è pari a 150 °C (non c'è sul datasheet)

Il valore minimo di funzionamento per la tensione di alimentazione è 3 V. Tra i 2 e i 3 Volt non funziona ma mantiene l'informazione

Guardando le caratteristiche elettriche quando all'alimentazione abbiamo 5 V, vediamo come i valori di tensione non siano compatibili TTL:  V_IH = 3,5; questo significa che una TTL non è in grado di pilotare un CMOS, perché la TTL potrebbe scrivere un 1 logico e il CMOS non riuscirebbe a interpretarlo correttamente. Al contrario un CMOS4000 potrebbe pilotare una TTL per quanto riguarda le tensioni, ma ci sarebbe il problema delle correnti: allo 0 logico la TTL assorbe 16 mA e il CMOS può erogarne 0,8-l mA.

Nota la maggior simmetria tra i valori di I_OL e I_OH (ma anche il il loro valore più basso rispetto alle TTL).

La caratteristica ingresso-uscita di un CMOS ha una forma diversa rispetto alla caratteristica TTL.

Nota come il valore di V_OH sia molto vicino al valore di V_AL e il valore di V_OL sia vicino a 0

Il valore C_IN è la capacità d'ingresso, cioè il valore della capacità che modelizza l'intero componente. Pilotare questo CMOS4000 significa pilotare una capacità pari a 7,5 pF.

Nota come il valore di C_IN rimanga costante all'aumentare della tensione di alimentazione (5, 10, 15V). Infatti questo valore dipende solamente dalle caratteristiche geometriche del circuito. In compenso aumentano le correnti in uscita, e questo comporta una maggiore capacità di caricare/scaricare le capacità dei CMOS a valle, e quindi una maggiore velocità di commutazione. In conclusione, per aumentare la frequenza occorre aumentare la tensione di alimentazione.

Questo discorso si evidenzia nei grafici che riportano i tempi di proazione in confronto alla tensione di alimentazione. Si vede come questi tempi diminuiscano al crescere di V_DD. Comunque si possono notare dei tempi abbastanza superiori a quelli della TTL.

Inoltre si può notare la relazione esistente tra i tempi di proazione e la capacità di carico, cioè la capacità pilotata.

La ura 7.5 mostra la caratteristica ingresso uscita, e si può notare come la transizione avvenga sempre alla tensione Val/2

La ura 7.6 è importante perché mostra la dissipazione di potenza in relazione alla frequenza. Qui si vede come alla frequenza di qualche Mhz la potenza dissipata sia pari a 10 mW, paragonabile alla TTL.

Nella globalità, una CMOS4000 ha un valore di P tp peggiore della TTL.

3.1.3. CMOS della serie HC, HCT

Per costruire logiche più veloci ma sempre a basso consumo sono state progettate le famiglie HC e HCT; in queste famiglie troviamo reimplementati i componenti della serie 4000 e i componenti TTL della serie 74.

La famiglia HC è compatibile CMOS, la serie HCT è compatibile, a livello di tensione, con la TTL.

Per ottenere questa compatibilità queste famiglie hanno dovuto rinunciare alla flessibilità sul valore della tensione di ingresso, che ora è fissata a 5 V (o,meglio, può variare tra 2 e 6 V).

Note varie dalla lettura dei data sheet (54HC00 e 74HC00):

Nel paragrafo Operating Conditions e la dicitura: Input Rise or Fall Time; questo è il tempo massimo consigliato in cui deve avvenire la transizione della porta. Durante la transizione, infatti, il dispositivo è in linearità, quindi consuma corrente. Logicamente, al crescere della tensione di ingresso (da 2V a 6 V), il consumo di corrente aumenta e infatti sono indicati dei tempi di transizione decrescenti.

La tensione V_IH è pari a 3.5 V, quindi non è compatibile così com'è con una uscita TTL. Se, tramite una resistenza di pull up, si alza la tensione di uscita della TTL, allora si può ottenere la compatibilità con questa CMOS

Sia quando l'uscita è all'1 logico che allo 0 logico la corrente in uscita (I_OUT) è abbastanza elevata, sufficiente per pilotare altri dispositivi

La simmetria dell'uscita porta ad avere gli stessi tempi di proazione da 0 a 1 e da 1 a 0. Inoltre questo tempo (8 ns) è paragonabile a quello delle TTL.

La capacità C_PD è una capacità equivalente che modellizza l'intero dispositivo e tiene conto delle reali capacità interne. Quindi possiamo calcolare la potenza dissipata dal componente singolo con la formula:

Se lo stesso componente deve pilotarne altri dello stesso tipo, dissipa un ulteriore quantità di potenza, calcolabile con la stessa formula, ma ponendo la quantità C_IN , che è la capacità vista dal pilotante:

Quindi, sommando i vari consumi di potenza, e tenendo conto della potenza (trascurabile) assorbita dal CMOS durante lo stato di riposo, abbiamo:

I dispositivi HCT, essendo leggermente più complessi, sono un po' più lenti e presentano un valore C_PD un po' più alto.

Caratteristiche principali degli Advanced CMOS:

miglioramento correnti in uscita

bassi consumi e bassa capacità d'ingresso

tempi molto vicini alla logica TTL

versione AC e ACT

La tecnologia BICMOS utilizza sia circuiti bipolari che circuiti CMOS. Per esempio i buffer della Texas Instruments sono realizzati in tecnologia BICMOS.

Buffer tristate: questi particolari buffer cercano di ovviare al problema della terminazione della linea (vedi più indietro). Quando tutti i dispositivi collegati al bus sono in tristate, la linea assume un potenziale non noto. Per evitare il problema, questi buffer hanno al loro interno la terminazione per il bus, e non occorre più terminare la linea esternamente ( 3.6).

Infine, alcuni modelli hanno un meccanismo interno per cui, all'accensione, vanno nello stato di alta impedenza.

3.2. Esempi di circuiti sequenziali

3.2.1. Flip flop di tipo elementare

E' possibile realizzare un flip flop con 2 porte NAND ( 3.7).